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工艺条件
铬酐 | 250g/L |
硫酸 | 2.7g/L |
HVEE(开缸) | 3g/L |
三价铬 | 1~3g/L |
温度 | 55~60℃ |
DK | 30~90A/dm2 |
阴阳极面积比 | 2~3:1 |
HVEE补给量 | 2g/KAH |
消耗量:
HVEE随铬酸消耗量的比例消耗,一般消耗100g的铬酸,相应消耗1.5g的HVEE。
作用机制
1. 阴极电流效率高达22~26%,是传统标准镀铬工艺的2~3倍,节约能源。
2. 使用电流密度宽广,30~90A/dm2均可,沉积速度快。
3. 不含氟化物,对基体的低电流密度区不产生腐蚀,对阳极无腐蚀。
4. 镀层硬度HV可达1000~1100,微裂纹数达400~1000条/cm。
5. 镀层光亮,平滑细致,厚度均匀,深镀能力佳。
6. 镀液稳定,易操作,维护方便。